具有多量子阱数目的InGaN/GaN量子阱结构的阴极荧光特性分析

摘要：

本文研究了30周期的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构的阴极荧光特性,揭示了光学性质和结构性质的关系.在InGaN/GaN量子阱层底部, 沿量子阱生长方向出现蓝移,这是由于沿生长方向In组分降低造成的.在量子阱顶部,由于In组分分凝,观察到明显的发光峰分裂.因此,整个MQW结构分为两部分:一部分是应变的底层,另一部分是包含富In区的部分弛豫的顶层.

关键词： 太阳能电池 量子阱结构 氮化镓铟 氮化镓 阴极荧光特性

作者: 杨静 赵德刚 江德生

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 172-178

在线出版日期: 2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）