氟离子注入实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件的研究

摘要：

本文直接利用离子注入机时AlGaN/GaN HEMT器件的栅下进行F离子的注入,成功实现了耗尽型阈值电压从-2.6v移动到Vth=1.9v的增强型HEMT器件,并且研究了注入剂量对阈值电压和峰值跨导的影响,研究发现随着注入剂量的不断增加,阈值电压不断的正向移动,但并不呈现线性关系,同时漏电流不断下降,并且在退火后电流无法恢复.

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓铝 氮化镓 氟离子 阈值电压 电学特性

作者: 张志利 蔡勇 于国浩 付凯 谭庶欣 张晓东 张宝顺

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 179-182

在线出版日期: 2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）