AlN低温层对品格应力调制
通过研究具有不同缓冲层(950℃)厚度的AlN外延晶片和具有低温插入层(1100℃)的AlN外延晶片,结果表明缓冲层厚度和低温插入层对高温AlN层晶格应力均具有重要调制作用.其中低温插入层可有效释放AlN高温层在面内受到的拉伸应力作用,且在高、低温外延层界面处位错易于发生弯折形成位错环,使得晶体质量得到明显改善,缺陷密度降低.测得样品的(002)和(102)摇摆曲线全峰半高宽分别为412arcsec和908 arcsec,明显优于无低温插入层样品.
氮化铝外延晶片 低温插入层 缓冲层厚度 应力调制 晶体质量
韩云鑫 魏唯 林伯奇 孙雪平
中国电子科技集团公司第四十八研究所,中国长沙,410111
国内会议
贵阳
中文
194-198
2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）