基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长研究
本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但是其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度至埃量级,微拉曼光谱测试显示了它的二维生长.该研究有助于后期在基于ART机理的GaAs图形衬底上生长InP体材料.
磷化铟材料 成核层 砷化镓衬底 异质生长 表面形貌 纳球光刻技术
戚永乐 张瑞英 张震 朱健 王岩岩 孙玉润 赵勇明 董建荣 王庶民
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料研究部,苏州,215125 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料研究部,苏州,215125;信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所),上海市长宁路865号,200050 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所),上海市长宁路865号,200050
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2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）