ITO/金属和ITO/n-GaAs接触电阻的研究

摘要：

采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO/n-GaAs之间非整流接触的研究.利用圆形传输线模型的方法来测试不同退火温度下样品的接触电阻率,得到ITO与金属镍的最小接触电阻率为2.81×10-6 Ω·cm2.忽略金属与ITO接触电阻以及金属自身电阻影响后测得ITO/n-GaAs最低接触电阻率为7×10-5 Ω·cm2.

关键词： 氧化铟锡 金属镍 n-砷化镓 接触电阻率 圆点型传输线模型

作者: 王青松 谭明 池田昌夫 代盼 吴渊渊 陈俊霞 陆书龙 杨辉

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215123;中国科学技术大学纳米学院,苏州,215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215123;中国科学院大学,北京,100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 209-215

在线出版日期: 2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）