Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MIS-HEMT功率开关器件研究

摘要：

采用原子层淀积(ALD),制备Al2O3(8nm)为栅介质的Si衬底AlGaN/GaN金属绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).器件栅长2μm,栅宽100um,制备的MIS-HEMT器件经过400℃、10分钟退火后,栅电极反向泄漏电流降低了四个数量级,关态耐压从45V提高到190V;正向栅电压最高可以加到+5.0V,栅压为+5.0V时最大饱和输出电流520mA/mm;阈值电压-2.7V,最大跨导达到100ms/mm.转移特性正反向扫描测试表明所制备的Al2O3介质层与AlGaN形成高质量的Al2O3/AlGaN界面.

关键词： 金属绝缘栅高电子迁移率晶体管 氮化镓铝 氮化镓 三氧化二铝绝缘栅 原子层淀积法 漏电特性 关态耐压

作者: 刘爽 于国浩 蔡勇 苑进社 张宝顺

作者单位: 纳米加工平台,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123;光学工程重庆市高校重点实验室,重庆师范大学,重庆401331 纳米加工平台,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123 光学工程重庆市高校重点实验室,重庆师范大学,重庆401331

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 237-241

在线出版日期: 2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）