化合物半导体砷化镓晶体生长综述
砷化镓是Ⅲ-V族化合物半导体中最重要、用途最广的半导体材料.它是由两种元素砷、镓组成的化合物,和单元素的硅、锗半导体材料有很多不同点,它的最大特征适合制造高频、高速和发光器件.此外,GaAs材料还具有耐热、耐辐射及对磁场敏感等特性.通过对其物理性质的总结，介绍了其液封直拉法，水平布里其曼法，垂直布里其曼法，垂直梯度凝固法等制备工艺，并介绍了用四种生长工艺晶体质量的比较，指出由于国内各个砷化镓材料厂商的资金的投入和技术进步，VGF/VB技术越来越成熟，不仅砷化镓晶体的成晶率大幅度提高而且晶体内在质量也提高很多，现在国内生产的2寸、3寸4寸晶片质量与国外厂商产品质量已无差别。
砷化镓 物理性能 制备工艺 晶体生长
谈惠祖
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2015-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）