CuInS2晶体结构预测及电子结构性质
利用基于多目标粒子群优化算法的卡里普索(CALYPSO)软件预测了CuInS2晶体在常压下的结构.结果表明CuInS2晶体在常压下为四方晶系,空间群为1-42 d.计算了CuInS2晶体的弹性常数矩阵,得到的弹性常数满足了晶体的机械稳定型条件.通过弹性常数计算了体模量,杨氏模量和剪切模量.最后,分别用杂化泛函方法计算了CuInS2的能带结构和投影态密度,结果显示CuInS2晶体为直接带隙半导体,带隙为1.22 eV.为了进一步分析CuInS2晶体的性质,计算了电荷密度和电子局域函数.结果显示,Cu在CuInS2中的成键过程发生了电荷转移,Cu原子和S原子之间是共价键为主,In原子和S原子之间是离子键为主.
铜铟硫晶体 能带结构 投影态密度 电荷转移
王思涵 徐瑛
长春理工大学理学院,吉林长春130000
国内会议
长春
中文
139-143
2015-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）