Si掺杂对半极性和非极性紫外LED中AlGaN外延层性能的影响
本文研究了Si掺杂对半极性和非极性紫外LED中AlGaN外延层性能的影响,并与极性AlGaN材料作对比.本研究使用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在极性、半极性和非极性蓝宝石衬底上生长AIGaN外延层,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和霍尔效应测试仪研究Si掺杂对这些外延层的晶体结构和电学特性的影响.研究发现,由于Si原子增强了位错滑移,在a面蓝宝石衬底上生长得到的AlGaN样品的表面形貌和晶体质量均随掺Si浓度的增加而提高.并且,Si掺杂会抑制c方向生长,因此m面和r面蓝宝石衬底上生长的半极性和非极性AlGaN样品表面的褶皱明显减少.由于晶体质量的提高,生长在a面蓝宝石衬底上的极性AlGaN样品的电子迁移率和载流子浓度均随Si掺杂浓度的增加而提高.此外,生长在m面蓝宝石衬底上的半极性AlGaN样品有较高的电子浓度,这有利于制备高质量半极性AlGaN基紫外发光二极管(UV-LED).
紫外发光二极管 氮化镓铝外延层 晶体结构 电学特性 硅掺杂
赵见国 王翼 栾华凯 杨洪权 王书昶 代倩 吴自力 张雄 崔一平
东南大学 电子科学与工程学院先进光子学中心
国内会议
南京
中文
1-6,45
2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）