用于制备紫外LED的AlGaN材料的表面性质研究
本论文通过角度分辨X射线光电子能谱技术(ARXPS)定量研究了利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备的AlGaN(A1组分为0.35,0.47和0.60)外延层的表面性质.研究结果表明,由于N-Ga键数量的显著减少,AlGaN外延层的Ga俄歇峰随着A1组分的增加而受到明显地抑制.而且,因为A1和O具有较大的化学亲和势,所以较高A1组分AIGaN外延层的表面附近存在较多的A1-0键.另外,与Ga原子相比,A1原子具有更高的氧化性和更低的迁移率,因此较高A1组分AlGaN外延层的A1组分更不均匀.本研究工作有助于进一步分析用于制备紫外LED的A1组分Ⅲ族氮化物材料的表面性质.
紫外发光二极管 氮化镓铝材料 表面性质
杨洪权 王书昶 朱敏 代倩 吴自力 赵见国 张雄 崔一平
东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
国内会议
南京
中文
7-11
2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）