8mm功率PHEMT研制

摘要：

报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm；Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器件在频率为33CHz时，饱和输出功率大于280mW，功率密度达到380 mW/mm，增益大于6 dB。

关键词： 8mm功率 PHEMT

作者: 郑雪帆 陈效建

作者单位: 电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 179～183

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）