硅对连作土壤下黄瓜幼苗生长及光合荧光特性的影响
以”新泰密刺”和”津研四号”两个黄瓜品种为试材,采用叶面喷施的方法,研究了连作土壤下外源硅(Si)对黄瓜幼苗生长及光合、荧光特性的影响.结果表明,在连作土壤下,”新泰密刺”幼苗叶片电解质渗漏率(EL)和丙二醛(MDA)含量均低于”津研四号”,而光合荧光参数均高于”津研四号”,说明”新泰密刺”比”津研四号”抗性强.叶面喷Si后,两黄瓜品种幼苗叶片EL和MDA含量均有所降低,但提高了叶片叶绿素a(Chla)、叶绿素b(Chlb)和类胡萝卜素(Car)含量,使净光合速率(Pn)、PSⅡ潜在光化学活性(Fv/Fo)、最大光化学效率(Fv/Fm)、光合电子传递量子效率(ΦPSⅡ)和非光化学猝灭系数(NPQ)升高,表现为黄瓜幼苗株高和叶面积增加,且抗性强的”新泰密刺”增加幅度高于”津研四号”.以上结果表明,叶面喷Si能通过降低膜脂过氧化程度及提高叶片光合能力来缓解连作障碍对黄瓜幼苗的伤害.
黄瓜幼苗 生长机理 光合特性 荧光特性 外源硅
张平艳 高荣广 杨凤娟 王秀峰 魏珉 史庆华 李岩
山东农业大学园艺科学与工程学院,山东泰安271018 山东农业大学园艺科学与工程学院,山东泰安271018;作物生物学国家重点实验室,山东泰安271018;农业部黄淮地区园艺作物生物学与种质创制重点实验室,山东泰安271018
国内会议
广州
中文
250-257
2013-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）