原位自生Si3N4晶须增韧无粘结相WC材料的研究
采用一步和两步SPS烧结法分别制备了WC-10wt.％Si3N4复合材料.研究显示,在不保温烧结方式下,β-Si3N4在1700℃以上会发生”快速熟化”现象,β-Si3N4晶须快速长成,与此同时WC基体晶粒也迅速长大;在1550～1600℃保温30min,β-Si3N4能够持续熟化并长成晶须,而WC晶粒生长则较为缓慢;采用两步烧结方式时即先升温到1700℃随即冷却至1450～1600℃保温30min,通过第一步烧结可在材料体内形成一定数量的β-Si3N4晶核,从而促进第二步烧结过程中的α→β-Si3N4相转变和β-Si3N4晶须长成,同时抑制WC晶粒快速长大.致密的WC-10wt.％Si3N4材料的硬度与WC基体晶粒平均尺寸成反相关,其断裂韧性主要随β-Si3N4晶须数量的增多而增大,β-Si3N4晶须对WC材料的增韧机制主要包括晶须拔出和裂纹桥接.两步烧结的WC-10wt.％Si3N4的硬度和断裂1/2韧性分别达到了17.65 GPa和10.94MPa·m1/2.
无粘结相碳化钨硬质合金 氮化硅晶须 原位自生技术 两步烧结工艺
李小强 曹廷 郑东海 夏晓建 杨超 梁良 肖志瑜
华南理工大学国家金属材料近净成形工程技术研究中心,广州510640
国内会议
武汉
中文
373-380
2015-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）