CFC表面硅化改性工艺研究
碳纤维增强复合材料(CFC)表面沉积W,是面向等离子体材料(PFMs)的一种选择.但W与C会反应生成WC等脆性陶瓷相,会使得W涂层与基体的连接性能、高温性能等变差,需要对CFC进行表面改性.为此,本文设计进行Si化改性,采用Si基料浆涂覆CFC,然后在1400～1500℃进行真空高温反应.利用SEM、XRD、EDS等手段研究了反应温度和料浆成分对硅化层物相、形貌和厚度的影响,研究结果表明:当温度达到1420℃以上时CFC表面有SiC相形成;一定温度范围内,提高烧结温度有利于CFC表面硅化层厚度的均匀,从而降低内应力;采用纯硅料浆浸涂CFC表面,在高于1450℃时进行真空反应烧结,可在CFC材料表面形成纯SiC的硅化层,但硅化层易开裂,甚至有部分剥落;当在料浆中加入石墨粉后并在1450℃烧结,可以制得成分均匀的(SiC-C)复合硅化层,其中C为石墨,该(SiC-C)复合硅化层能有效缓解制备过程中产生的热应力而不开裂.
面向等离子体材料 碳纤维增强复合材料 硅化改性工艺
李凌群 范景莲 李威
中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙410083
国内会议
武汉
中文
766-771
2015-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）