N2下辉光放电预处理对聚酰亚胺绝缘子真空沿面闪络电压的影响
为提高绝缘子的真空沿面闪络电压,采用N2下辉光放电对绝缘子进行处理,研究了辉光放电频率、放电电流大小、处理时间对绝缘子真空闪络电压的影响,获得了处理过程中释放气体量随处理时间的变化关系.研究结果表明,N2下辉光放电能极大提高聚酰亚胺绝缘子真空沿面闪络电压;辉光放电气压为40～50Pa时,聚酰亚胺绝缘子闪络电压能得到最大提高;未处理下的绝缘子真空闪络电压约70kV,经10mA高频(8.3kHz)辉光放电处理20min后,绝缘子真空沿面闪络电压可最高达到140kV;相同频率下,辉光放电电流(数十毫安)越大,对应的绝缘子真空闪络电压越高,但随辉光放电电流的增大,闪络电压的增长趋于饱和;处理过程中,释放气体量随辉光放电电流增加而增大,且同种频率下,释放气体量越大,闪络电压越高.
聚酰亚胺绝缘子 闪络电压 辉光放电 真空沿面
曾凡辉 赵军平 张佳 南保峰 张乔根 程杰
西安交通大学,西安,710049 西北核技术研究所,西安,710024
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2015-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）