磁延迟伪火花开关的自击穿特性研究
本文搭建了磁延迟伪火花开关自击穿特性研究实验平台,研究了在自击穿工作模式下,伪火花开关的重频工作特性,磁延迟伪火花开关的放电特性及损耗特征.实验结果表明,充电电容重复充放电频率为50Hz时,在电压脉冲作用下,静态击穿电压为10kV的无触发伪火花开关首次放电时延在数百微秒量级,其后各次放电时延1μs左右.对磁延迟伪火花开关的放电特性进行研究发现,伏秒积合适的磁开关有良好的“磁延迟”效果,使得流经伪火花开关的电流迅速上升前,伪火花开关两端电压已经下降到较低值,大大降低伪火花开关的导通损耗.同时,磁延迟效果随着伏秒积的增大而增强.磁延迟伪火花开关显示出良好的重频工作性能.
磁延迟伪火花开关 自击穿工作 放电特性 导通损耗
闫家启 丁卫东 王亚楠 钱凯洋
西安交通大学电力设备与绝缘国家重点实验室,西安,710049
国内会议
西安
中文
1-6
2015-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）