纳米粒子种类对聚酰亚胺绝缘性能影响研究
聚酰亚胺(Polyimide,PI)作为一种优秀的绝缘材料,广泛的应用于变频电机之中.在PI基体中添加纳米粒子可有效提高复合材料的绝缘性能,不同的纳米粒子对PI的绝缘性能影响各异.首先,本文通过原位聚合法制备了纯PI、掺杂量为2％的PI/SiO2、PI/Al2O3,通过测试它们的体积、表面电阻率,介电常数,不同参数(上升时间、频率、环境温度)的方波脉冲下的耐电晕性能,比较掺杂不同的纳米粒子对PI薄膜的绝缘性能影响差异.研究结果表明:PI/Al2O3薄膜其体积、表面电阻率都要大于PI/SiO2薄膜,在同等条件下PI/SiO2传输电荷的能力更强;此外,PI/Al2O3薄膜的介电常数大于PI/SiO2薄膜,并且都比纯PI膜的大;另外,由于电荷的残留效应,增加频率或者减小上升时间都会使得薄膜的耐电晕时间下降.当温度低于110℃时,PI/SiO2薄膜的耐电晕性能优于PI/Al2O3,而当温度高于110℃时则PI/Al2O3的耐电晕性能更好。
聚酰亚胺 原位聚合法 耐电晕性能 纳米粒子
张兴涛 吴广宁 高国强 吴旭辉
西南交通大学电气工程学院,四川 成都市 610031
国内会议
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2015-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）