气体绝缘开关设备外壳瞬态地电位抬升计算模型现存问题和改进建议
气体绝缘全封闭组合电器(Gas Insulated Switchgear,GIS)中隔离开关、断路器操作时极易产生振荡频率高达几十甚至上百兆赫兹的特快速瞬态过电压(Very Fast Transient Overvoltage,VFTO),耦合到GIS外壳上造成壳体瞬态地电位升高(Transient Ground Potential Rise,TGPR),会威胁人身安全、变电站控制和二次设备运行的可靠性.本文基于一段500kV GIS隔离开关用EMTP-ATP软件建立仿真模型对其分合闸操作时产生的外壳瞬态地电位抬升进行了仿真计算的分析和现场测量,计算结果与实测结果比较发现现用外壳瞬态地电位抬升仿真计算模型存在一定问题且提出了改进方案,以提高外壳瞬态地电位抬升计算模型的准确性.
气体绝缘全封闭组合电器 隔离开关 瞬态地电位升高 计算模型
陈舒 郭洁 乔兵兵 张金凤 周越
西安交通大学电气工程学院高电压教研室,西安,710049
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2015-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）