磁控溅射Cu膜结构及电学性能研究
采用射频磁控溅射方法在普通玻璃基片上沉积Cu膜,研究了在100℃的沉积温度下,不同厚度、溅射功率以及热处理温度对Cu膜结构及电学性能的影响.结果表明,在相同溅射功率下,随着厚度的增加,结晶度增加,电阻率下降,到厚度达到450nm以后,结晶度依旧增大,而电阻率达到稳定值约为60μΩ/cm;在同一膜厚下,随着溅射功率的增加,结晶度降低,但是Cu膜的电阻率也降低;热处理后,Cu膜的结构和性能有很大变化,400℃左右,Cu膜电阻率降到最低,降到3μΩ/cm左右.
铜膜 磁控溅射法 膜层结构 电学性能
郑敏栋 赵修建 倪佳苗 梁斐
武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室,湖北省武汉市,430070
国内会议
江苏宿迁
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91-95
2015-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）