温度对ITO薄膜导电性能的影响

摘要：

本试验采用磁控溅射法制备了氧化铟锡薄膜,本文通过试验研究了温度对ITO薄膜导电性能的影响,发现了ITO薄膜的导电性能在温度及作用时间影响下的变化趋势,结合其导电机理分析电阻变化的原因,并确定了最佳的改善工艺为400℃下,保温20min.

关键词： 氧化铟锡薄膜 温度变化 导电性能 磁控溅射法

作者: 周绍骏 黄友奇 赵丹丹 傅国英

作者单位: 中国建筑材料科学研究总院 北京市100024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015年全国玻璃科学技术年会

会议地点: 江苏宿迁

会议语种:中文

页码: 110-113

在线出版日期: 2015-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）