石英玻璃掩膜基板化学机械抛光的影响因素分析

摘要：

集成电路制造工艺需要大量的石英玻璃研磨基片,而且加工要求逐渐提高.文章采用双面抛光工艺对石英玻璃基体进行了化学机械抛光实验,发现氧化铝抛光粉适合用作粗抛光介质,氧化铈抛光粉适合用作精密抛光介质;另外本文试验了3种分散剂对抛光速率的影响,发现TX对抛光速率的提升较大;PH=9时抛光速率最快,而当PH大于9时对基体的表面形貌有所损伤.

关键词： 石英玻璃 掩膜基板 化学机械抛光 双面抛光工艺

作者: 邵竹锋 田淑众 王佳佳 王慧 聂兰舰 王蕾 符博

作者单位: 中国建筑材料科学研究总院 北京100024 山东农业工程学院 济南25000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015年全国玻璃科学技术年会

会议地点: 江苏宿迁

会议语种:中文

页码: 297-299

在线出版日期: 2015-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）