基于纳米间隙的新型电子器件及其应用
真空微/纳电子器件的未来发展在于保证器件优异性(截止频率高和大功率)的同时又能实现高集成度,与先进信息系统设计和半导体工艺真正兼容,从而实现器件性能和集成度的平衡.认为结合场致发射原理和纳米间隙,基于纳米间隙且具有集成化特点的电子器件,器件尺寸和电极间距小于或接近空气中电子与气体分子碰撞的平均自由程,器件驱动电压小于空气分子的第一离子化势,其具备①电子的场致发射特性和②电子在位于纳米间隙电极中的自由空间(无需高真空封装)中输运的特征.利用电子束光刻辅以lift-off工艺、常规光刻辅以聚焦离子束刻蚀、常规光刻辅以材料沉积组装等工艺方法可以实现纳米间隙的制备.
真空电子器件 纳米间隙 场致发射原理 电子自由程
王琦龙 徐季 翟雨生 齐志央 张晓兵 雷威
东南大学电子科学与工程学院 210096
国内会议
上海
中文
179-190
2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）