Si/SiO2核壳量子点结构与性质的密度泛函紧束缚方法计算
Si/SiO2核壳量子点表现出了波长可调的发光性能.针对其尺寸,采用了密度泛函紧束缚(DFTB)计算方法研究其结构与电子性质.系统研究了表面钝化、SiO2层厚度及硅氧比例等对于Si/SiO2核壳量子点结构与电子性质的影响效果.发现相比于氢钝化,羟基钝化的Si/SiO2核壳量子点更为稳定.通过DFTB方法,研究了大尺寸(3nm)的Si/SiO2核壳量子点,并且发现随着硅核尺寸的减小,在量子点内部存在着量子限域效应(蓝移)与氧化效应(红移)之间的竞争效应.转折点出现在Si/SiO2比例在1∶1左右时.SiO2层厚度对于能带带隙的影响不如硅核尺寸的影响明显.本研究为设计发光可调的硅量子点提供了理论依据.
硅量子点 二氧化硅量子点 结构表征 电子性质 密度泛函紧束缚法
董慧龙 侯廷军 孙晓甜 李有勇 李述汤
苏州大学功能纳米与软物质研究院
国内会议
苏州
中文
103-104
2014-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）