单层石墨烯中点缺陷的迁移与愈合的第一性原理研究
石墨烯中的点缺陷可以被人为创造并能提升本征石墨烯的相对性能.缺陷石墨烯是用于电子器件和传感器的潜在材料.在光照或热处理条件下,缺陷可能扩散并相互聚集.在此采用密度泛函理论计算解释点缺陷的迁徙和愈合过程.发现单空位(SV)缺陷的存在促进了其他SV缺陷的迁徙从而使他们聚集并形成相邻的单空位缺陷.相邻的单空位缺陷会结合成双空位缺陷,研究了此路径.同样研究了双空位缺陷的结构重排并总结出不同类型双空位缺陷的相对稳定性.此外,还发现双空位缺陷”V2(5-8-5)”随时可以通过相邻的单原子缺陷加以修复.作为比较,双空位缺陷”V2 (555-777)”无法被单原子缺陷直接加以修复.我们的结果提供了石墨烯中点缺陷的迁徙和愈合过程,这有利于缺陷石墨烯的纳米工程化.
石墨烯 单空位缺陷 双空位缺陷 愈合机理 迁徙过程 第一性原理
吴亮 侯廷军 李有勇 K.S.Chan 李述汤
苏州大学功能纳米与软物质研究院 香港城市大学物理与材料科学学部
国内会议
苏州
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105-107
2014-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）