呋喃π桥对聚合物共平面性和有机场效应晶体管性能的影响
为了扩展π-共轭和在有机场效应晶体管(OFETs)中得到更高的性能,通过引进一个呋喃π-桥进入主链,对一个现有的给体-受体聚合物进行了修改.聚合物中的呋喃桥对热、光学和电化学的性能的影响都得到系统的测试.对于含呋喃桥的聚合物来说,OFETs显示了一个意想不到的降低的空穴迁移率.理论计算表明在加入呋喃桥之后,聚合物的共面性变差,这是由于主链中修改后的相邻嵌段之间的原子相互作用.X射线和原子力显微镜的结果进一步证明,由于共面性降低,含呋喃的聚合物在薄膜中有着较为无序的分子内堆积.
有机场效应晶体管 聚合物 共面性 呋喃π-桥
袁建宇 臧亚平 董慧龙 刘国均 狄崇安 李有勇 马万里
苏州大学功能纳米与软物质研究院 中科院化学所 苏州大学材料与化学化工学部
国内会议
苏州
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108-109
2014-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）