基于镀层模式的可控Am-Be中子源的初步理论研究
理论模拟了基于镀层模式的可控Am-Be中子源单元结构的相关特性.针对不同的镀层厚度,利用Geant4蒙特卡罗程序模拟计算了镀层中的粒子特性和中子产率.模拟结果表明,在镀层厚度小于10m时,逃逸粒子数及能谱随镀层厚度变化显著.单位粒子的中子产率随镀层厚度增加逐渐减小.受不锈钢基板吸收的影响,每百万粒子的中子产率极限值约为55.当镀层厚度小于6rn时,中子总产额随镀层厚度增加增长迅速,镀层厚度超过6m后,中子总产额趋于饱和,因此建议镀层厚度小于6m.按照文中的模型,镀层厚度为4 m时,每个单元中子产额的理论模拟结果为2.75×105 s-1.
镅-铍中子源 镀层模式 结构特征 模拟计算
余功硕 李雪松 倪建忠
西北核技术研究所,陕西西安
国内会议
银川
中文
495-500
2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）