G652.D光纤在长波段的传输损耗研究
通过对光纤损耗机理进行了深入分析,并采用VAD工艺调整GeO2含量和芯层直径,分析了制备过程中GeC14流量和芯层直径与瑞利散射的关系.本文通过理论分析及实验发现，G652.D在长波段的传输损耗主要由红外吸收损耗与瑞利散射损耗引起，其中瑞利散射起主要作用。通过试验表明，VAD沉积过程中的GeCl4流量及芯径的变化对1550nm的损耗有直接影响，且Ge含量的影响大于芯径变化的影响。通过控制Ge的掺杂量，可以有效降低瑞利散射，成为制造低损耗光纤的主要方向。
光纤通信 传输损耗 瑞利散射 氯化锗流量 纤芯直径
秦钰 吴椿烽 陶伟 沈一春 钱宜刚
中天科技精密材料有限公司
国内会议
苏州
中文
59-63
2014-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）