ALD反应腔分区加热控制

摘要：

在原子层沉积系统(Atomic layer deposition) ALD的薄膜生长工艺流程中,关键部分在于对工艺腔室内部温度和压强的控制.由于ALD反应腔内部温度控制具有非线性、滞后性及时变性,本文通过对反应腔采取分区加热的方法,使用西门子TIA博途软件自带的具有抗积分饱和功能的PID控制器,加上前馈补偿PID控制算法,很好地解决了反应腔内温度均匀性这一问题.并通过实验实测数据和仿真,得出整个温度控制范围误差控制在5℃‰.

关键词： 原子层沉积系统 薄膜技术 温度控制 分区加热法 PID控制算法

作者: 杨宁 余平 狄芬芬

作者单位: 上海电力学院自动化工程学院 上海,200090

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015年西南三省一市自动化与仪器仪表学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 38-39,42

在线出版日期: 2015-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）