利用UHV/CVD技术在多孔硅上生长Ge量子点的研究

摘要：

近年来，半导体量子点由于其独特的性质越来越受到人们的重视。半导体量子点的三维量子效应，使电子运动的自由度降低，导致体系的有效状态密度和电子的能量发生显著变化，表现出一些新颖的物理特性，从而使其在未来的量子器件中具有广阔的应用前景。

关键词： UHV/CVD技术 多孔硅 Ge量子点

作者: 黄靖云 叶志镇 汪雷 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 63～65

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）