会议专题

直流电弧等离子体球化U<,3>Si<,2>工艺研究

该文研究了直流电弧等离子体球化U<,2>Si<,2>的工艺装置。利用Ar+He混合的等离子体对10-150μm的U<,2>Si<,2>微粉进行球化。球化率达90℅。

U<,3>Si<,2> 等离子体 球化

孔常静 宁伟建 吴彬 高克家 纪崇甲 孙明涛 马永新 任永刚 张志深 李冠兴

中国科学院力学所 核工业总公司国营二

国内会议

第九届全国等离子体科学技术会议

大连

中文

194-197

1999-08-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)