直流电弧等离子体球化U<,3>Si<,2>工艺研究
该文研究了直流电弧等离子体球化U<,2>Si<,2>的工艺装置。利用Ar+He混合的等离子体对10-150μm的U<,2>Si<,2>微粉进行球化。球化率达90℅。
U<,3>Si<,2> 等离子体 球化
孔常静 宁伟建 吴彬 高克家 纪崇甲 孙明涛 马永新 任永刚 张志深 李冠兴
中国科学院力学所 核工业总公司国营二
国内会议
大连
中文
194-197
1999-08-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
U<,3>Si<,2> 等离子体 球化
孔常静 宁伟建 吴彬 高克家 纪崇甲 孙明涛 马永新 任永刚 张志深 李冠兴
中国科学院力学所 核工业总公司国营二
国内会议
大连
中文
194-197
1999-08-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)