磁控溅射法制备Cu(In,Al)Se2薄膜性能的研究
采用Cu和InAl复合双靶,在未加热的玻璃基片上用中频磁控溅射技术制备CuInAl(简称CIA)金属预制层膜,采用固态源硒化方法形成Cu(In,Al)Se2(简称CIAS)薄膜。采用SEM和EDS检测分析样品的表面形貌和成分,用XRD表征了薄膜的组织结构,用四探针电阻测试仪和台阶仪对样品进行电阻和膜厚的检测分析。结果表明,通过调节靶材中各成分的面积和溅射时间可以改变CIA金属预制层中个元素的成分。从SEM和EDS检测分析可知,硒化退火温度和薄膜成分对CIAS薄膜表面形貌影响较大。从XRD衍射图谱中可知,Cu(In,Al)Se2保持了CuInSe2黄铜矿型的晶体结构。硒化前后的薄膜的膜厚明显增加,方块电阻也随之增加。
Cu(In,Al)Se2薄膜 固态硒化 Cu/(In+Al),磁控溅射
周丽梅 俞金萍 李剑锋 薛钰芝
大连交通大学 辽宁大连116028
国内会议
北京
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2038-2041
2010-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）