氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究

摘要：

冷阴极在X射线源中有重要应用.本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列.制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比.场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9 V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中.

关键词： 半导体材料 氧化钨纳米线 热氧化技术 场发射特性

作者: 陈道坤 许卓 刘飞 邓少芝 许宁生 陈军

作者单位: 光电材料与技术国家重点实验室中山大学物理科学与工程技术学院,广东广州510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届X射线管学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 4-7

在线出版日期: 2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）