会议专题

稳定高效非晶硅太阳电池

本文报道用“不间断生长/退火”FECVD技术,制备了含一定比例(~0.3)微晶成分的非晶硅膜.它具有较小的深缺陷态密度和较好的稳定性,用以制备的非晶硅单结太阳电池稳定效率达到8.02℅.

非晶硅太阳电池 氢化非晶硅

廖显伯 张世斌 王永谦 刁宏伟 孔光临

中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家实验室(北京)

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82-83

2000-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)