优质多晶硅簿膜的制备

摘要：

用PCVD工艺及后处理技术可制备质量优良、晶粒大的多晶硅薄膜。磷掺杂的n型多晶硅薄膜，电导率高达0．7（Ω·cm）<”-1>，平均晶粒尺寸大于300nm，晶粒尺寸强烈依赖于掺杂比和膜的原始材料。

关键词： 非晶硅 多晶硅 掺杂比

作者: 林璇英 余楚迎 姚若河 吴萍 李美亚 林揆训 石旺舟

作者单位: 大学物理系 大学材料科学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 194～195

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）