碳纤维基底上SiC纳米线的制备及生长机理

摘要：

以聚丙烯腈碳纤维为碳源和基底,在1550℃下,采用热蒸发硅粉的方法制备了直径约200nm、长度为几十微米、纯度较高的β-SiC纳米线.研究表明,小直径碳纤维作为碳源可为SiC纳米线生长提供较充足的生长空间,有利于提高SiC纳米线的纯度和产量.采用氧化物辅助生长机制解释了SiC纳米线的生长,并通过简单的热力学计算讨论了少量氧存在下SiC纳米线的结晶生长机理.

关键词： 碳化硅纳米线 聚丙烯腈碳纤维 热蒸发硅粉法 生长机理

作者: 石强 陈建军

作者单位: 浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,杭州310018 浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,杭州310018;浙江理工大学材料工程中心,杭州310018

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国复合材料学术年会(NCCM-16)

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 354-359

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）