一种集电极双掺杂(CDD)超结IGBT
本文提出了一种集电极双掺杂(CDD,Collector Double Doped)超结IGBT,在器件开启的时候,重掺杂为PIII 的区域可以提供一个合理的开态电压,轻掺杂为PII 的区域可以加速器件关断,减小关断损耗.2D 器件的开态、关断特性和击穿电压模拟结果表明,与普通超结IGBT 相比,CDD 超结IGBT 击穿电压从204V 增加到329V,有月61.27％提高；同时,关断时间从335ns减小到170ns,减小了49.3％.CDD 超结IGBT 相比普通超结IGBT 相比,集电极-发射极饱和压降Vce(sat)与关断时间(toff)之间的矛盾有所改善,并且更有效抑制拖尾电流.
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 超结(SJ) 集电极双掺杂(CDD) 功率器件
江兴川 吴佳珍 李志贵 林信南
北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室,深圳 518055
国内会议
深圳
中文
59-64
2014-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）