通过电子辐照改善功率VDMOS开关特性的研究

摘要：

　　通过电子辐照在功率VDMOS 器件中引入少子复合中心，从而有效缩短功率VDMOS 器件中的少子寿命，改善开关特性。本论文对8N60、13N60 等2 个型号的功率VDMOS 样品进行了电子辐照以及辐照后的退火处理，实验证明电子辐照对提升功率VDMOS 器件的开关速度是有效的。

关键词： VDMOS 开关速度 电子辐照

作者: 刘晶晶 刘道广 姚伟明 巨峰峰 顾晓春 翁长羽

作者单位: 扬州国宇电子有限公司 清华大学电力电子厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014 电力电子与航天技术高峰论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 129-132

在线出版日期: 2014-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）