非掺半绝缘GaAs晶片多步热退火的机理研究
该文利用wenzi的GaAs缺陷模型研究了在晶片多步热退火的高温退火段中，Ga1-As固溶体化学计量比偏离度（S=1-2x）对晶体气固相平衡的影响。计算表明，GaAs晶体在固溶区中的离解压依赖于化学计量比偏高度和杂质的浓度。在富As区，离解压随化学计量比偏高度的增加，迅速增大。在富Ga区，离解压随化学计量比偏离度的增加，趋于零。杂质碳使离解压有少许增大，浓度较高的硼使离解压有较大下降。
非掺半绝缘GaAs晶片 多步热退火
赵福川 夏冠群
科学院上海冶金研究所(上海)
国内会议
宜昌
中文
128～129
1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）