TMAH刻蚀硅及对铝覆盖膜的影响

摘要：

该文主要研究TMAH对硅和铝的刻蚀情况。首先，做了不同条件下（浓度从2℅wt到25℅wt）TMAH对硅的腐蚀实验，发现对硅的腐蚀速率随温度升高而增大?随浓度增大而减小；纵向腐蚀与横向腐蚀深度之比可达12：1至20：1；浓度在15℅wt以上时表面平滑。然后，又用多种方法实验了有铝膜覆盖的情况，并做了比较，试图找到对硅和铝的腐蚀选择比较好的条件，验证结果表明用KPR光刻胶作保护的效果较好。

关键词： TMAH 各向异性腐蚀 选择比 铝膜 腐蚀机理

作者: 秦元菊 忻佩胜 范忠 丁玲 赖宗声

作者单位: 华东师范大学电子科学技术系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 55～58

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）