真空区熔技术制备探测器级硅单晶工艺研究

摘要：

采用鸭嘴形平板式线圈制备区熔真空高阻硅单晶,研究了加热线圈内径和内厚(线圈内径处铜板厚度)对拉晶移速、使用功率和单晶质量的影响.结果表明:减小加热线圈的内径可以将磁力线集中,增大磁场,加强耦合;减小加热线圈内厚可以增大加热线圈的尖角效应,产生狭窄磁场,使熔区变短,对成晶有利.

关键词： 半导体材料 探测器级硅单晶 真空区熔技术 性能表征

作者: 蒋娜

作者单位: 峨嵋半导体材料研究所,乐山 614200

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 457-460

在线出版日期: 2010-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）