基于交叉门闩结构的微纳米阻变存储器件的制备
阻变存储器是新型计算机存储器件研究的重要内容之一,其具有功耗低、操作电压低等优点.阻变存储器主要的实现方式是基于交叉门闩结构.现今对于阻变存储器件的研究主要集中在理论研究方面,对于其制备只停留在实验室阶段,并且器件制备所使用的方法各不相同,本文通过阻变存储器件的实际制造过程,结合部分研究组制备阻变存储器件的基本方法,分微米级与纳米级两个方面,给出了两种尺寸级别的器件的制造方法,在工艺方面给出了实现阻变存储器件的可行性,为今后阻变存储器件的大规模制造提供了一定的参考.
计算机阻变存储器 交叉门闩结构 制备工艺
励楠 刘刚 方粮
国防科技大学计算机学院 长沙410073
国内会议
江苏扬州
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22-26
2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）