新型SRAM存储单元的比较与分析

摘要：

面对6T存储单元因工艺偏差带来的稳定性差、抗噪声能力弱及随之而来的漏电流等问题,本文介绍了一种新型的7T存储单元结构和一种8T存储单元结构,并提出一种9T的存储单元结构.与传统的6T存储单元进行比较,新型的存储单元采用读写分开的策略,这样就不存在因工艺偏差带来的稳定性差的问题,而且在功耗、面积及执行性能上都有很大的提高,尤其是CMOS工艺尺寸越小,这种优势就越明显.

关键词： 集成电路 存储单元 结构设计 读写性能

作者: 温亮 李勇 李振涛

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET”10)

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 176-181

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）