一种新型的八边形网格MOSFET功率管版图结构

摘要：

MOSFET功率管版图面积利用率是衡量功率管性能的重要指标之一。本文针对常见MOSFET功率管版图结构面积利用率的问题,提出了一种紧凑的八边形网格MOSFET功率管版图结构,解决了MOSFET功率管背栅接触问题,提高了面积利用率,同时提高了功率管的高频特性,降低了芯片的生产成本。

关键词： 功率管 版图结构 面积利用率 八边形网格

作者: 王志鹏 马卓 陈怒兴

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET”10)

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 194-197

在线出版日期: 2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）