自组装单分子膜为钝化层实现选择性原子层沉积氧化锌的研究
报道了在SiO2基底上部分自组装一层致密的十八烷基三氯硅烷单分子膜(OTS-SAMs)作为钝化层实现选择性原子层沉积氧化锌.为了制备致密结构的十八烷基三氯硅烷单分子膜,研究了自组装条件对单分子膜致密性的影响.采用AFM、SE、WCA表征在环境温度25℃,无水甲苯为溶剂,浓度为10mM,浸泡时间为12h得到的OTS-SAMs较为致密.结果为OTS-SAMs接触角为110°,表面粗糙度(Rq)为0.1nm,覆盖率超过99％单分子膜.致密的十八烷基三氯硅烷单分子膜能很好的阻挡原子层沉积(ALD)氧化锌.
半导体薄膜技术 选择性原子层沉积 氧化锌 钝化层 自组装单分子膜
孔得霖 张龙 王册明 桑利军 杨丽珍
北京印刷学院等离子体物理及材料研究室 北京 102600
国内会议
宁波
中文
73-74
2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）