镁锂合金低吸收/高发射微弧氧化热控膜层技术研究
镁锂合金表面微弧氧化膜层的孔径、孔隙率、粗糙度、生长方向、厚度等直接影响膜层的热控性能(αs-太阳吸收比,εH-半球发射率).通过控制微弧氧化电源输出模式、起始脉冲电压、阶梯电压、终止电压、氧化时间等技术参数,控制微弧氧化膜层的择优生长取向、孔径、孔隙率等微观形貌;通过目视法对膜层外观及均匀性进行了检测;通过拉带试验对膜层与基体结合力进行了检测;采用太阳吸收比测试仪、半球发射率测试仪对膜层的αs及εH进行了测试.试验表明:膜层均匀致密且与基体结合力良好;膜层的αs≤0.40,εH≥0.85,膜层具有低吸收、高发射的热控特性,膜层各项性能均满足宇航产品技术指标要求.
镁锂合金 表面处理 微弧氧化热控膜层技术 热控性能
李思振 白晶莹 冯立 王景润 李力 杨鑫 张立功 崔庆新 关宏伟
北京卫星制造厂,北京,中国 100190
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宁波
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101-104
2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）