飞秒激光对p型HgCdTe成像材料电学性质的损伤
采用飞秒脉冲激光对p型碲镉汞材料进行辐照损伤研究,激光束诱导电流(LBIC)检测表明,P型碲镉汞材料经激光辐射后局部电学性质发生了转变,被激光刻蚀所形成的孔洞具有pn结特性.建立了孔洞结构的pn结转换模型,并对实验结果进行了模拟计算,研究结果表明,在飞秒激光辐照下可能造成Hg-Te化学健断裂,Hg原子往周围扩散,从而形成Hg填隙n型HgCdTe.同时,由于辐照区域较高的局部温度和压强给材料带来损伤,形成大量缺陷能级,极大地降低了少子寿命.
半导体器件 p型碲镉汞成像材料 电学性质 飞秒激光 辐照损伤
邱伟成
中科院上海技术物理研究所红外物理重点实验室
国内会议
海南文昌
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35-39
2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）