图形转移工艺对线宽损耗的主要影响

摘要：

本文通过正交实验法对图形转移工序的干膜线宽损耗进行了研究和探讨,说明了影响干膜线宽损耗的主要因素，并根据正交实验结果分析了曝光光源、曝光能量、显影点和线宽对线宽损耗的影响，使用方差分析方法对干膜线宽损耗的数据进行了详细的研究和探讨，得到了最佳组合，并且验证了工艺参数是否符合生产需求和稳定性。

关键词： 印制电路板 图形转移工艺 线宽损耗 正交实验法

作者: 赵鑫

作者单位: 中国电子科技集团公司第十五研究所PCBA中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国青年印制电路学术年会

会议地点: 浙江余杭

会议语种:中文

页码: 600-606

在线出版日期: 2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）