大功率LED芯片抗过电应力能力研究
对LED成品灯具进行浪涌冲击实验,发现LED驱动电源的抗差模共模浪涌能力、灯具使用铝基板的耐压能力等都会制约影响最终达到大功率LED芯片上的浪涌波形.在遭受4000V共模浪涌冲击时,市场上的LED驱动电源对灯珠的保护能力存在很大差异,当电源对共模浪涌抑制能力不强,使输出端对地电压过高(高过使用铝基板的耐压)就会对大功率LED芯片产生影响,会导致芯片漏电或芯片直接击穿灯珠死灯.
大功率发光二极管灯 芯片结构 抗过电应力能力 浪涌冲击实验
万欢 张志海 曾平 洪芸芸
中节能晶和照明有限公司
国内会议
杭州
中文
108-117
2014-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)