毫米波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型仿真

摘要：

本文利用器件仿真软件Silvaco Altlas建立了考虑表面态和陷阱效应的微波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型.针对毫米波GaN HEMT器件短栅长引起的短沟道效应,本文采用了更精确的能量平衡模型.仿真结果与实测结果取得了良好的一致性.

关键词： 毫米波高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化镓铝 物理模型 仿真分析

作者: 董若岩 徐跃杭 谢俊 徐锐敏

作者单位: 电子科技大学,极高频复杂系统国防重点实验室,成都 611731

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议

会议地点: 湖南常德

会议语种:中文

页码: 48-50

在线出版日期: 2014-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）