Ku波段GaN E类功率放大器
GaNHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点.同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛.本文基于南京电子器件研究所GaN HEMT器件,开展了Ku波段GraNE类功率放大器设计研究.针对GaN HEMT器件较高的输出电容Cds,采用补偿微带的结构减小寄生参数的影响,设计了13.7GHz～ 14.2GHz的GaN E类功率放大器.实测表明,该放大器在连续波输入功率25dBm的情况下,在l3.7GHz～14.2GHz频率范围内漏极效率大于36％,输出功率大于30dBm.
E类功率放大器 电路设计 氮化镓 Ku波段
罗俞杰 徐跃杭 卢啸 延波 陈堂胜 徐锐敏
电子科技大学 电子工程学院,成都 611731 南京电子器件研究所,南京 210000
国内会议
湖南常德
中文
99-101
2014-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）